SDRAM之所以成為DRAM就是因為它要不斷進行刷新（Refresh）才能保留住數據，因為刷新（Refresh）是DRAM最重要的操作。那么要隔多長時間重復一次刷新，目前公認的標準是，存儲體中電容的數據有效保存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒），也就是說每一行刷新的循環(huán)周期是64ms。這樣刷新速度就是：64ms/行數量。我們在看內存規(guī)格時，經常會看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的標識，這里的4096與8192就代表這個芯片中每個Bank的行數。刷新命令一次對一行有效，發(fā)送間隔也是隨總行數而變化，4096行時為15.625μs（微秒，1/1000毫秒），8192行時就為7.8125μs。HY57V561620為8192 refresh cycles / 64ms。

SDRAM是多Bank結構，例如在一個具有兩個Bank的SDRAM的模組中，其中一個Bank在進行預充電期間，另一個Bank卻馬上可以被讀取，這樣當進行一次讀取后，又馬上去讀取已經預充電Bank的數據時，就無需等待而是可以直接讀取了，這也就大大提高了存儲器的訪問速度。

SDRAM品牌類目

Type	SDR SDRAM		DDR1 SDRAM		DDR2 SDRAM		DDR3 SDRAM		DDR4 SDRAM
Density	16Mbit—512Mbit		64Mbit—1Gbit		256Mbit—2Gbit		1Gbit—8Gbit		8Gbit
Brand	Chiplus	Etron	UniIC	Etron	UniIC	Etron	JSC	UniIC	3256Mx32                       DDR4