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       Nand-flash內存是flash內存的一種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand flash存儲器具有容量較大,改寫速度快等優點,適用于大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
JSC濟州半導體是全球最大的移動應用解決方案提供商之一的NAND FLASH廠家。
 由于濟州半導體出道到SRAM(靜態隨機存取存儲器)和4M SRAM及NAND FALSH產品,濟州半導體持續實施全系列NAND FLASH產品通過4Gb、2Gb、1Gb NAND FALSH。
濟州半導體的NAND FALSH是建立在強大的存儲單元的技術,以高質量,高穩定,高品質的產品優勢獲得廣大客戶的認可,濟州半導體存儲器產品已被公認為最強大的存儲解決方案,可以穩定地運行任何嚴謹的環境下可以通過移動手機。濟州半導體是由世界領先的手機制造商公認的一個最可靠的NAND FALSH制造商。除了手機應用,濟州半導體NAND FALSH提供產品應用在全世界。
Density Bus Part number ECC Voltage Package Type Type PDF下載
4Gb x8 JS27HU4G08SDN-25 4-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC 暫無
4Gb x16 JS27HU4G16SDN-25 4-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC 暫無
4Gb x8 JS27HU4G08SDDA-25 4-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC 暫無
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2Gb x8 JS27HP2G08SCDA-45 4-bit 1.8V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC 暫無
1Gb x8 JS27AP1G08SSDA-42 1-bit 1.8V 63B (9 x 11 mm) SLC 暫無
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1Gb x8 JS27AP1G08SSDF-42 1-bit 1.8V 67B (8 x 6.5 mm) SLC 暫無
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