EMI502NL16LM-55I可替代IS61WV12816DBLL-10BLI低功耗SRAM

      SRAM是隨機存取存儲器的一種。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
 
      下面介紹一款可替代IS61WV12816DBLL-10BLI高速低功耗異步SRAM芯片EMI502NL16LM-55I
 
      我司英尚國際推薦一款國產SRAM芯片,型號EMI502NL16LM-55I產品,該系列由EMI先進的全CMOS工藝技術制造。位寬為128Kx 16的2Mbit的SRAM芯片，電源電壓范圍為2.3V?3.6V。
 
      EMI502NL16LM-55I具備三態輸出和TTL兼容，低數據保持電壓：1.5V（最小值），這些系列支持工業溫度范圍和芯片規模封裝，以使用戶靈活地進行系統設計。該系列還支持低數據保持電壓，以低數據保持電流實現電池備份操作。封裝采用標準48BGA。
 
      封裝引腳配置
   
      安徽偉凌創芯（EMI）公司是專注存儲SRAM/PSRAM芯片、顯示驅動，接口轉換芯片設計、生產及銷售的塢無晶圓半導體公司。為行業客戶提供高品質、低成本，供貨持續穩定的自主知識產權的集成電路產品，產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。

本文關鍵詞：SRAM,IS61WV12816DBLL-10BLI

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