SIC MOSFET相較于Si MOS

開(kāi)關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試，而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直接測(cè)量在運(yùn)行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結(jié)論，獲得精準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)過(guò)程波形至關(guān)重要。
 
SIC MOSFET相較于Si MOS和IGBT能夠顯著提高變換器的效率和功率密度，同時(shí)還能夠降低系統(tǒng)成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來(lái)越多的功率變換器采用基于SiC MOSFET的方案。
 
SiC MOSFET與Si開(kāi)關(guān)器件的一個(gè)重要區(qū)別是它們的柵極耐壓能力不同，Si開(kāi)關(guān)器件柵極耐壓能力一般都能夠達(dá)到±30V，而SiC MOSFET柵極正壓耐壓能力一般在+20V至+25V，負(fù)壓耐壓能力一般僅有-3V至-10V。
 
同時(shí)，SiC MOSFET開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)過(guò)程中柵極電壓更容易發(fā)生震蕩，如果震蕩超過(guò)其柵極耐壓能力，則有可能導(dǎo)致器件柵極可靠性退化或直接損壞。
 
很多電源工程師剛剛接觸SiC MOSFET不久，往往會(huì)在驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)量上遇到問(wèn)題，即測(cè)得的驅(qū)動(dòng)電壓震蕩幅值較大、存在與理論不相符的尖峰，導(dǎo)致搞不清楚是器件的問(wèn)題還是電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，進(jìn)而耽誤開(kāi)發(fā)進(jìn)度。


本文關(guān)鍵詞：SIC MOSFET

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