一圖看懂STT-MRAM與SRAM的優(yōu)劣勢

非易失性隨機(jī)存取存儲器STT-MRAM可以像SRAM高速、高耐久性、單字節(jié)訪問一樣的工作 ，也可以如ROM/Flash存儲器一樣不易揮發(fā)，保留時間長工作。
 
MRAM優(yōu)勢
•無需電池
→ 拆卸蓄電池、蓄電池插座、Vcc監(jiān)視器電路
→ 無需維護(hù)電池，降低質(zhì)量成本
→ 簡單的SMT工藝
→ 更長的保留時間；電池7年，MRAM 10年
 

	SRAM	Winner	STT-MRAM
寫入速度	55ns~70ns	=	35ns~300ns
電池要求	YES	→	NO
保留時間	7年(電池壽命)	→	10年

本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM,SRAM,MRAM

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