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Everspin 4Mb并行MRAM芯片MR2A16AYS35

2018-05-25 14:36:44


Everspin Technologies公司是全球領(lǐng)先的分立和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋扭矩MRAM(ST-MRAM)的設(shè)計(jì),制造領(lǐng)導(dǎo)者,其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域的數(shù)據(jù)持久性和完整性 ,低延遲和安全性至關(guān)重要。 憑借在數(shù)據(jù)中心,云存儲(chǔ),能源,工業(yè),汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)部署的超過7000萬(wàn)個(gè)MRAM和ST-MRAM產(chǎn)品,Everspin建立了世界上MRAM用戶最強(qiáng)大,發(fā)展最快的基礎(chǔ)。

這款4Mb MRAM的引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR2A16A目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)儲(chǔ)存、多功能打印機(jī)、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。

MR2A16A采用400-mil、44引腳薄小外形TSOP2封裝,或8 mm x 8 mm 48引腳球柵陣列 (BGA) 封裝(球中心距為0.75mm)。這兩種封裝形式均與較小的低功耗SRAM以及其他非易失性RAM兼容。
特性

256K x 16 MRAM存儲(chǔ)器 (MR2A16A)
35ns的快速讀/寫周期
SRAM兼容時(shí)序,采用現(xiàn)有的SRAM控制器,而無需重新設(shè)計(jì)
出色的耐讀/寫能力
在工作溫度范圍內(nèi)數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失
一個(gè)存儲(chǔ)器即可替代系統(tǒng)中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM,獲得更簡(jiǎn)單、高效的設(shè)計(jì)
用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案,無需組裝電池,也了提高可靠性
3.3V電源
掉電時(shí)提供自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)功能
商業(yè)、工業(yè)以及汽車級(jí)溫度范圍
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的SRAM TSOPII封裝
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的SRAM BGA封裝,電路板面積縮小3倍
?型號(hào)表如下
Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
4Mb 256Kx16 MR2A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 256Kx16 MR2A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +85℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 256Kx16 MR2A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +105℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 512Kx8 MR2A08ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AMYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +125℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 512Kx8 MR2A08ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
 
本文關(guān)鍵詞:Everspin
 
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英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 
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