Everspin 推出4MB 并口MRAM芯片MR2A08AYS35
2018-05-30 14:26:41
磁性隨機(jī)存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商
Everspin科技公MRAM產(chǎn)品中其中4MB 并口MRAM芯片,用于無電數(shù)據(jù)保持以及SRAM性能的應(yīng)用，具有非揮發(fā)性、高性能以及高可靠性優(yōu)勢。Everspin將持續(xù)快速擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品組合,以協(xié)助更多客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標(biāo)。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖,我們將不斷提高M(jìn)RAM產(chǎn)品的容量,并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨(dú)有特性。
MR2A08AYS35是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM,其超短的存取周期僅為35ns,并允許無限制的讀/寫循環(huán)。在每次寫入后,資料能持續(xù)保存超過20年。此外,與其他存儲器不同,MRAM還可免除因宇宙射線所產(chǎn)生的軟錯誤率SER(SoftError Rate)。MR2A08AYS35采用8 mm x 8 mm 48引腳球柵陣列 (BGA) 封裝（球中心距為0.75mm）。可以與較小的低功耗SRAM以及其他非易失性RAM兼容。用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，無需組裝電池，也了提高可靠性。
MR2A08AYS35典型的應(yīng)用包括計算機(jī)存儲系統(tǒng)及服務(wù)器、工業(yè)自動化和機(jī)器人、電能管理、交通以及軍用/航空系統(tǒng)。
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