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Everspin 256Mb ST-MRAM產品

2018-06-08 14:57:03


Everspin科技公司推出256Mb自旋扭矩技術(ST-MRAM),這是目前市場上商用密度最高的產品,旨在應用于需要使用DDR3和DDR4接口的存儲設備和服務器中的持久性內存的應用。
 
存儲和服務器OEM廠商一直在評估其ST-MRAM產品,Everspin科技公司將為基于MRAM的存儲級存儲器(SCM)進一步提高密度,并預計將今年晚些時候基于其專有的垂直磁隧道結(pMTJ)ST-MRAM的1Gb產品。
 
Everspin自2008年以來一直從事MRAM業務。最先推出MRAM產品主要是提供SRAM的替代品,現在已經包括工業,汽車和運輸市場中的離散和嵌入式應用MRAM產品。 對于汽車市場,特別是對于需要高帶寬和高耐用性的高級駕駛員輔助系統。RAID存儲仍然是Everspin成熟的MRAM產品中最大的一部分,約占40%的需求,而35%在工業控制應用。汽車和運輸占其余大部分。
 
Everspin將提供獨立的ST-MRAM產品和NVDIMM,開始時密度為256Mb,1Gb。
 
從市場來看持續DRAM市場遠遠大于持續性SRAM市場,而新型高密度256Mb ST-MRAM可用于保護包括SSD在內的第一級存儲器中的熱數據。能夠保護飛行中的數據,而不必擔心由于電源不可靠造成的數據損壞以及NAND和其他永久存儲器的較慢寫入性能。 
 
Everspin將提供分立的ST-MRAM產品和NVDIMM。后者通過消除斷電期間所需的DRAM和NAND閃存之間的數據傳輸來提供改進的可靠性。 256Mb ST-MRAM允許該公司進入基于SSD的存儲市場,即將推出1Gb密度。 
 
通用的記憶在解決具體問題方面變得不那么有效。 ST-MRAM比DRAM更適合寫緩存。然而,Everspin不直接瞄準DRAM,而是專注于為需要持久存儲器的應用取代DRAM。 
 
迄今為止,Everspin一直是唯一一家取得顯著商業成功的MRAM公司,盡管還有其他供應商正在研究利基內存。例如,Avalanche技術公司宣布正在采樣業界首款采用32 / 64Mbit獨立分立STT-MRAM存儲器器件的行業首款自旋轉矩磁RAM(STT-MRAM)芯片,并采用行業標準SPI基于55nm節點代工過程的接口。
 

本文關鍵詞:Everspin
 
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