富士通新品8Mbit FRAM高達(dá)100萬億次的寫入耐久性

FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點，富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存儲芯片，這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證100萬億讀/寫周期的產(chǎn)品。
 
與富士通的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品實現(xiàn)了高速運(yùn)行、約30%的訪問速度和低功耗、10%的工作電流。該存儲器IC是需要高速運(yùn)行的工業(yè)機(jī)器中SRAM的理想替代品。
     
富士通自2018年6月開始提供具有并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。在推廣該產(chǎn)品的同時，聽到了客戶的聲音，例如保證寫入壽命超過10萬億次，運(yùn)行速度與SRAM相同，TSOP封裝與SRAM兼容。富士通推出滿足這些要求的新8Mbit FRAM產(chǎn)品，保持FRAM的低功耗的獨(dú)特特性。非常適合工業(yè)機(jī)器，同時實現(xiàn)高速運(yùn)行和低功耗。
 
MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行。它是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證100萬億讀/寫循環(huán)時間的產(chǎn)品。
 
能夠在快速頁面模式下運(yùn)行高達(dá)25ns，新的FRAM在連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸時的訪問速度與SRAM一樣高。與富士通的傳統(tǒng)FRAM產(chǎn)品相比，它不僅實現(xiàn)了更高的運(yùn)行速度，而且實現(xiàn)了更低的功耗。該FRAM最大寫入電流18mA，比目前產(chǎn)品小10%，最大待機(jī)電流150µA，小50%。采用44引腳TSOP封裝，同封裝作為富士通的4MbitFRAM以及48引腳FBGA封裝。
 
富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案致力于在開發(fā)高性能產(chǎn)品的同時為可持續(xù)社會做出貢獻(xiàn)。例如，該公司繼續(xù)致力于低功耗FRAM產(chǎn)品的開發(fā)。隨著功率消耗的減少，它的目的是減少CO2排放量更少的溫室氣體。富士通將繼續(xù)滿足市場和客戶的需求和要求，并開發(fā)環(huán)保型內(nèi)存產(chǎn)品。

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