富士通新品8Mbit FRAM高達100萬億次的寫入耐久性

FRAM是一種非易失性存儲器產品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點，富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存儲芯片，這是富士通FRAM產品系列中第一款保證100萬億讀/寫周期的產品。
 
與富士通的傳統產品相比，新產品實現了高速運行、約30%的訪問速度和低功耗、10%的工作電流。該存儲器IC是需要高速運行的工業機器中SRAM的理想替代品。
     
富士通自2018年6月開始提供具有并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。在推廣該產品的同時，聽到了客戶的聲音，例如保證寫入壽命超過10萬億次，運行速度與SRAM相同，TSOP封裝與SRAM兼容。富士通推出滿足這些要求的新8Mbit FRAM產品，保持FRAM的低功耗的獨特特性。非常適合工業機器，同時實現高速運行和低功耗。
 
MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內運行。它是富士通FRAM產品系列中第一款保證100萬億讀/寫循環時間的產品。
 
能夠在快速頁面模式下運行高達25ns，新的FRAM在連續數據傳輸時的訪問速度與SRAM一樣高。與富士通的傳統FRAM產品相比，它不僅實現了更高的運行速度，而且實現了更低的功耗。該FRAM最大寫入電流18mA，比目前產品小10%，最大待機電流150µA，小50%。采用44引腳TSOP封裝，同封裝作為富士通的4MbitFRAM以及48引腳FBGA封裝。
 
富士通半導體存儲器解決方案致力于在開發高性能產品的同時為可持續社會做出貢獻。例如，該公司繼續致力于低功耗FRAM產品的開發。隨著功率消耗的減少，它的目的是減少CO2排放量更少的溫室氣體。富士通將繼續滿足市場和客戶的需求和要求，并開發環保型內存產品。

本文關鍵詞：MM32F3270,NOR Flash

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