富士通推出ReRAM系列中最大的內(nèi)存密度的12Mbit ReRAM-MB85AS12MT

富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM（電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
 
ReRAM電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，其中將脈沖電壓施加到薄金屬氧化物膜上，從而在記錄1和0的電阻上產(chǎn)生巨大的變化。其電極間采用金屬氧化物的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)，制造工藝非常簡(jiǎn)單，同時(shí)仍具有低功耗、寫入速度快等優(yōu)良特性。
 
MB85AS12MT該新產(chǎn)品是一種非易失性存儲(chǔ)器，具有12Mbit的大存儲(chǔ)密度，封裝尺寸約為2mmx3mm。它在讀取操作期間具有平均0.15mA的極低讀取電流。該產(chǎn)品具有封裝尺寸小、讀取電流小等特點(diǎn)，非常適用于助聽器、智能手表等可穿戴設(shè)備。
 
MB85AS12MT是一款具有12Mbit存儲(chǔ)密度的非易失性存儲(chǔ)器，可在1.6V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作。新的ReRAM產(chǎn)品的內(nèi)存密度是現(xiàn)有8MbitReRAM的1.5倍，同時(shí)保持相同的封裝尺寸WL-CSP（晶圓級(jí)芯片尺寸封裝）和相同的引腳分配。該產(chǎn)品可以在大約2mmx3mm的小包裝尺寸中存儲(chǔ)大約90頁(yè)報(bào)紙的字符數(shù)據(jù)。
 
MB85AS12MT使用的WL-CSP與經(jīng)常用于具有串行外設(shè)接口(SPI)的存儲(chǔ)設(shè)備的8引腳SOP相比，可以節(jié)省大約80%的安裝表面積。
   
與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，新的ReRAM產(chǎn)品具有極小的讀取電流水平。在5MHz工作頻率下，平均讀取電流小至0.15mA，甚至在10MHz工作時(shí)最大讀取電流為1.0mA。因此，通過將MB85AS12MT安裝在具有頻繁數(shù)據(jù)讀取操作（例如特定程序讀取或設(shè)置數(shù)據(jù)讀取）的電池供電設(shè)備中，可以最大限度地減少電池消耗。它非常適合用于電池供電的小型可穿戴設(shè)備，例如助聽器和智能手表。
 
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案在繼續(xù)為需要頻繁數(shù)據(jù)重寫的客戶設(shè)備尋求更大密度的FRAM產(chǎn)品的同時(shí)，一直在開發(fā)新的非易失性存儲(chǔ)器以滿足頻繁讀取數(shù)據(jù)的要求，從而引入了這種新的12Mbit ReRAM產(chǎn)品。富士通半導(dǎo)體內(nèi)存解決方案不斷開發(fā)各種低功耗內(nèi)存產(chǎn)品以滿足客戶的需求。

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