相變存儲器和磁性ram兩種新興的非易失性存儲器類型，將在未來十年引領(lǐng)它們在獨立存儲器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
 
雖然目前有多種新興內(nèi)存技術(shù)正在開發(fā)中，英特爾的相變內(nèi)存稱為 3D XPoint 內(nèi)存或 Optane 將在 2025 年和 2030 年主導(dǎo)獨立的新興非易失性內(nèi)存市場，這是部分原因是英特爾虧本出售內(nèi)存。
 
新興內(nèi)存定義為 PCM、MRAM、ReRAM 和 FeRAM 以及其他。不包括NAND、DRAM、NOR、SRAM、EEPROM等。
 
由英特爾提供的 PCM 將在 2025 年占獨立新興內(nèi)存市場的 90%，而 MRAM將排在第二位，到 2030 年仍將如此。


本文關(guān)鍵詞：PCM,MRAM,SRAM

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