可替代SPI NOR/NAND閃存方案的xSPI MRAM

Everspin MRAM解決方案供應(yīng)商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的EMxxLX xSPI MRAM非易失性存儲器解決方案。該解決方案可以替代SPI NOR/NAND閃存的方案，其讀寫速度可以高達400MB/s，存儲容量在8Mbit和64Mbit之間。
 
Everspin此款新xSPI產(chǎn)品系列基于擴展的串行外設(shè)接口，這是用于非易失性存儲設(shè)備的最新 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。提供高性能、多 I/O、SPI 兼容性，并具有高速、低引腳數(shù) SPI 兼容總線接口，時鐘頻率高達200 MHz。這些持久性內(nèi)存 MRAM 設(shè)備在單個 1.8V 電源上運行，并通過八個 I/O 信號提供高達 400MBps 的讀取和寫入速度。更多產(chǎn)品相關(guān)資料咨詢Everspin代理英尚微電子。
 
xSPI MRAM的主要亮點是400MB/s的讀寫速度，因為這個速度是NOR或NAND等閃存設(shè)備的數(shù)倍，在寫入方面甚至更高。該產(chǎn)品的其他好處，比如：在編程之前無需擦除、高效寫入（比NAND 低10倍，比NOR低200倍），以及可以兼容舊軟件的NOR閃存模式。
     
xSPI MRAM開啟了通用存儲器應(yīng)用解決方案的新紀元，取代了 SRAM、BBSRAM、NVSRAM 和 NOR器件等產(chǎn)品，面向工業(yè)自動化、過程控制、仿真、汽車和運輸、游戲以及更廣泛的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)市場。
 
 
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