NV-SRAM相對(duì)于FRAM存儲(chǔ)器技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)

Microchip的電池供電SRAM器件具有真正的無限讀寫周期、更低的待機(jī)電流、更寬的電壓范圍，并且可以通過SPI或SDI串行總線訪問以實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)傳輸。通過簡單地添加電池，NVSRAM即使在斷電后也可以保留數(shù)據(jù)。雖然FRAM是用于長期數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器，但NVSRAM非常適合將數(shù)據(jù)移入和移出應(yīng)用程序，而無需擔(dān)心讀寫周期、磨損和功耗。
 
表1總結(jié)了FRAM和NVSRAM之間的主要區(qū)別。
 

	NVSRAM(SPI接口)	FRAM(SPI接口)
電源電壓	2.5-5.5V	2-3.6V
待機(jī)電流	4μA	90μA
最大數(shù)據(jù)速度	20MHz	40MHz
串行雙接口	Yes	No
無限讀/寫周期	Yes	No
數(shù)據(jù)保留	直到電池耗盡	10年
溫度范圍	工業(yè)：-40°C 至 +85°C 儲(chǔ)存：-65°C 至 +150°C	工業(yè)：-40°C 至 +85°C 儲(chǔ)存：-55°C 至 125°C
封裝	8-Lead SOIC 8-Lead PDIP 8-Lead TSSOP	8-Pin SOIC
價(jià)格	低	高

 
NV-SRAM的優(yōu)勢(shì)
 
有幾個(gè)關(guān)鍵特性使NVSRAM成為比FRAM技術(shù)更好的解決方案。
•無限寫入周期：NVSRAM具有真正的無限寫入周期，而FRAM存儲(chǔ)單元會(huì)隨著每次寫入而磨損。
•非破壞性讀取：FRAM存儲(chǔ)器的工作方式是，對(duì)于每次讀取，數(shù)據(jù)都會(huì)被破壞，并且必須將其寫回單元。這實(shí)際上計(jì)入了內(nèi)存的寫入周期數(shù)。但是NVSRAM單元的工作方式意味著沒有破壞性讀取，并且寫入周期的數(shù)量確實(shí)是無限的。
•數(shù)據(jù)保留：FRAM可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)十年。NVSRAM數(shù)據(jù)保留僅受所選電池的限制。
•模式寄存器：NVSRAM使用模式寄存器來選擇操作模式：字節(jié)、頁或順序。默認(rèn)狀態(tài)是連續(xù)的，其中內(nèi)部地址計(jì)數(shù)器自動(dòng)遞增，頁面邊界被忽略。在頁面模式下，讀取和寫入限制為一頁。當(dāng)?shù)竭_(dá)頁面的最后一個(gè)地址時(shí)，內(nèi)部地址計(jì)數(shù)器將翻轉(zhuǎn)到頁面的開頭。在字節(jié)模式下，只能讀取或?qū)懭胍粋€(gè)字節(jié)到設(shè)備

本文關(guān)鍵詞：NVSRAM,FRAM,SRAM

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