非易失性存儲器存儲器MRAM提供替代方案

    閃存目前最流行的非易失性存儲器NVM，但一些應(yīng)用程序開始采用其他類型的嵌入式NVM技術(shù)，因?yàn)榍度胧介W存無法超越28nm，也因?yàn)槠涑杀尽⒐暮托阅軆?yōu)勢。
 
    非易失性存儲器NVM包括ReRAM、PCM、MRAM和FRAM在內(nèi)的存儲器提供了替代方案。每種技術(shù)在成本、復(fù)雜性、功率和性能方面都有各自的優(yōu)勢和挑戰(zhàn)。MRAM存儲芯片供應(yīng)商英尚微簡單介紹關(guān)于MRAM。
 
    Everspin MRAM產(chǎn)品采用一個晶體管、一個磁性隧道結(jié)(MTJ)存儲單元作為存儲元件。MTJ由固定磁性層、薄電介質(zhì)隧道勢壘和自由磁性層組成。當(dāng)向MTJ施加偏壓時(shí)，被磁性層自旋極化的電子通過稱為隧道效應(yīng)的過程穿過電介質(zhì)勢壘。
 
    MRAM是一種利用電子自旋的磁性來提供非易失性而不會磨損的存儲器。MRAM將信息存儲在與硅電路集成的磁性材料中，在單個無限耐用的設(shè)備中提供SRAM的速度和閃存的非易失性。
 
    MRAM的數(shù)據(jù)雖然是以磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲，但其讀取數(shù)據(jù)的方式是靠測量電阻來感知，對其磁性狀態(tài)不會造成干擾。MRAM作為新型非揮發(fā)性存儲器，在存取速度、次數(shù)和功耗上都較優(yōu)越，但要投入市場應(yīng)用，還需解決以下難題：寫或擦除數(shù)據(jù)時(shí)的磁性干擾問題；復(fù)雜的磁性材料薄膜制備工藝，且其薄膜厚度不容易控制，影響器件的均勻性；與傳統(tǒng)CMOS工藝的兼容方面，有待進(jìn)一步地優(yōu)化。

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本文關(guān)鍵詞：MRAM

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