存儲(chǔ)器芯片價(jià)格上揚(yáng) 中國(guó)強(qiáng)“芯”補(bǔ)短板芯片

       存儲(chǔ)芯片是智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等各種智能終端產(chǎn)品所不可或缺的關(guān)鍵器件，主要功能是存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)，并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過(guò)程中高速、自動(dòng)地完成程序或數(shù)據(jù)的存取，主要有動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM和閃存NANDFlash等類型。
 

       今年1月，IBS執(zhí)行長(zhǎng)/資深分析師HandelJones原本預(yù)測(cè)今年晶片產(chǎn)業(yè)將衰退1.5%；而同時(shí)間另一家市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)ICInsights則認(rèn)為今年晶片市場(chǎng)將成長(zhǎng)4%。
 

       如今，雙方的意見已逐漸靠攏，ICInsights將2016年晶片市場(chǎng)成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)值更新為1%，而2017年成長(zhǎng)率則更正為4%。

 
       IBS的分析師Jones表示，DRAM價(jià)格在今年下半年應(yīng)該上漲了20~30%，抵銷了過(guò)去約一年來(lái)的衰退；而NAND快閃記憶體的價(jià)格也有所增加，2016年增加幅度達(dá)36.2%，讓整體NAND市場(chǎng)規(guī)模成長(zhǎng)6.2%。他預(yù)期SDRAM價(jià)格在2017年只會(huì)小幅下降，NAND Flash芯片價(jià)格則會(huì)維持在0.28~0.35美元的水準(zhǔn)。

       在其他市場(chǎng)，IBS預(yù)測(cè)資料中心應(yīng)用半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2016年成長(zhǎng)12~14%，2017年的成長(zhǎng)水準(zhǔn)大致相同；車用半導(dǎo)體市場(chǎng)在2016年則預(yù)期將成長(zhǎng)13.0%，2017年可成長(zhǎng)10.5%。
 

       但Jones表示：“半導(dǎo)體市場(chǎng)在2018年持續(xù)面臨不小的風(fēng)險(xiǎn)，因?yàn)槿騁DP可能會(huì)出現(xiàn)衰退；但2017年該市場(chǎng)有很高的可能性可取得4.6%水準(zhǔn)的成長(zhǎng)率。”