Everspin MR25H10非易失性存儲器MRAM

  MRAM在斷電后仍然能夠保留存儲的數(shù)據(jù)。這一特性使得它在很多應用場景中具有重要價值。具有快速的讀寫速度，它可以在短時間內(nèi)完成數(shù)據(jù)的讀寫操作，滿足高速數(shù)據(jù)處理的需求。可以承受大量的讀寫循環(huán)，具有很高的耐久性。

  英尚微提供的MR25H10通常表示其存儲容量為1Mbit（128KB）。這樣的存儲容量適用于多種應用場景，既可以滿足一些小型嵌入式系統(tǒng)對數(shù)據(jù)存儲的需求，如智能傳感器節(jié)點，用于存儲傳感器采集到的數(shù)據(jù)和系統(tǒng)配置信息；也可以在一些對存儲容量要求不是特別大的工業(yè)控制設備中使用，如小型PLC（可編程邏輯控制器），存儲程序代碼和運行數(shù)據(jù)。

  該型號的MRAM會有特定的工作電壓和溫度范圍。常見的工作電壓可能為2.7V - 3.6V，這使得它可以方便地與大多數(shù)微控制器和數(shù)字電路兼容。其工作溫度范圍一般可以滿足工業(yè)級應用的要求，例如 -40°C 到 +85°C。在不同的工業(yè)環(huán)境中，如高溫的工廠車間或低溫的冷藏倉庫，MR25H10都能夠穩(wěn)定工作，確保數(shù)據(jù)的可靠存儲和讀寫。

  MR25H10可能采用多種封裝形式，如SOIC（小外形集成電路）封裝。這種封裝形式具有引腳間距適中、便于焊接和安裝的特點，適合在電路板上進行批量生產(chǎn)和組裝。同時，它還能夠提供良好的電氣性能和散熱性能，保證芯片在工作過程中的穩(wěn)定性。

  我司英尚微電子代理Everspin并口MRAM、串口MRAM、STT-MRAM等不同容量封裝的非易失性存儲器MRAM，提供原廠技術支持及樣品測試。
 
本文關鍵詞：MRAM,MR25H10,Everspin

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