新興記憶的一貫挑戰(zhàn)：容量提高然而價(jià)格下降或者價(jià)格下降然而容量提高。然而，Everspin Technologies希望，特定行業(yè)容量將優(yōu)于價(jià)格，因?yàn)樗梢蕴岣進(jìn)RAM的產(chǎn)量。
 
MRAM先驅(qū)剛剛發(fā)布了與SMART Modular Technologies聯(lián)合推出的nvNITRO解決方案的應(yīng)用白皮書(shū)。根據(jù)Pat Patla的說(shuō)法，這兩家公司合作開(kāi)發(fā)nvNITRO NVMe存儲(chǔ)加速器，并致力于聯(lián)合開(kāi)發(fā)多個(gè)垂直市場(chǎng)，第一個(gè)是金融技術(shù)（FinTech）部門(mén)，其中nvNITRO可以提高數(shù)據(jù)吞吐量并減少關(guān)鍵存儲(chǔ)瓶頸。 ，Everspin營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)副總裁。
 
Patla在接受EE Times電話(huà)采訪(fǎng)時(shí)表示，nvNITRO NVMe存儲(chǔ)加速器可將金融交易的延遲降低90％，從而幫助金融科技公司滿(mǎn)足通常需要同步記錄的合規(guī)規(guī)則。這增加了延遲并造成事務(wù)處理瓶頸。正如白皮書(shū)所述，nvNITRO的顯著降低延遲的能力使金融科技公司能夠更快地記錄交易，從而增加整體交易量，并最終增加他們的收入。同時(shí)，STT-MRAM的持久性也有助于必要的合規(guī)性，因?yàn)樗袛?shù)據(jù)日志都受到保護(hù)。
 
Everspin已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)STT-MRAM。該公司在2017年第四季度創(chuàng)下首個(gè)40nm 256Mb STT-MRAM產(chǎn)品的收入記錄，并于2018年開(kāi)始量產(chǎn)。有少數(shù)公司正在開(kāi)發(fā)MRAM，但Everspin是唯一一家商業(yè)化的公司提供離散和嵌入式MRAM產(chǎn)品，部分歸功于它與GlobalFoundries的合作。
 
Everspin正在宣傳其256Mb STT-MRAM，作為??第一款垂直MTJ STT-MRAM進(jìn)入量產(chǎn)階段。 Patla表示，其ST-DDR3 / ST-DDR4接口的設(shè)計(jì)盡可能接近標(biāo)準(zhǔn)，以便客戶(hù)可以輕松將其集成到系統(tǒng)中，主要是對(duì)存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行一些微小更改。 Everspin的STT-MRAM也符合NVMe標(biāo)準(zhǔn)。
 
Patla承認(rèn)，除非制定了標(biāo)準(zhǔn)，否則客戶(hù)會(huì)擔(dān)心獨(dú)家采購(gòu)該技術(shù)。 “DDDR5是每個(gè)人都在召集的地方，”他說(shuō)。
 
Everspin Technologies專(zhuān)注于需要快速持久內(nèi)存的領(lǐng)域，通過(guò)提供接近DRAM性能和非易失性。 “Flash在旋轉(zhuǎn)媒體旁提供了很好的性能，但是對(duì)DRAM或MRAM來(lái)說(shuō)，它的速度要慢得多，”Patla說(shuō)，“他將旋轉(zhuǎn)扭矩MRAM描述為由性能，耐用性和比特率組成的三腳凳子。

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