新型MRAM技術(shù)量產(chǎn)實現(xiàn)低功耗

在新型 RAM 技術(shù)中，MRAM 對物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計算設(shè)備具有特別有吸引力。因為它能實現(xiàn)比目前這類硬件上的首選存儲類內(nèi)存 -NAND閃存-低得多的功耗，同時實現(xiàn)非易失性數(shù)據(jù)存儲。非易失性MRAM 本身訪問速度也相當快，這便意味著不僅可以用它取代這類硬件設(shè)備上的閃存，還可以替換掉大部分 SRAM，從而進一步節(jié)約成本。

 

和 MRAM 的目標市場不同的是，ReRAM 和 PCRAM 更有可能出現(xiàn)在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中，這兩種器件是存儲級內(nèi)存的理想選擇。SCM 提供的一種比 NAND 產(chǎn)品快得多并且比 DARM 更加便宜的中間存儲器層。英特爾的3D XPoint Optane Persistent Memory 產(chǎn)品似乎使用某種相變技術(shù)，是 PCRAM 技術(shù)的早期應(yīng)用實例。

 

在 MRAM 這個賽道中，三星已于去年的三月份發(fā)售了首款 MRAM 產(chǎn)品，還有Everspin該家 MRAM 提供商的產(chǎn)品被 IBM 用作高容量（19TB）SSD 的緩存。EVERSPIN其MRAM產(chǎn)品得到了 Sage 微電子用于企業(yè)級 SSD 的閃存控制器的支持。作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商，應(yīng)用材料公司是許多業(yè)界頂級代工廠的主要供應(yīng)商，應(yīng)用材料公司為大批量生產(chǎn) MRAM、PCRAM 和 ReRAM 而設(shè)計的新系統(tǒng)，目的是幫助使得基于這些新型技術(shù)的器件更加可靠和經(jīng)濟高效。

 

各種新型應(yīng)用帶來的數(shù)據(jù)爆炸導(dǎo)致數(shù)據(jù)訪問性能和計算性能的失衡不斷增長，從而推動了許多新型隨機存取存儲器（RAM）技術(shù)的發(fā)展。最近在新型 RAM 技術(shù)領(lǐng)域的進展能否開啟新型 ram 市場的騰飛還有待進一步觀察。當然如果應(yīng)用材料公司制造新 RAM 的系統(tǒng)取得了成功，也就理所當然地意味著市場上將出現(xiàn)更多使用了這些替代性的新型 RAM 器件的設(shè)備，同時也可能會出現(xiàn)一些新的存儲器供應(yīng)商。


本文關(guān)鍵詞： MRAM

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