內(nèi)存市場(chǎng)目前正打得火熱，不僅DRAM供需出現(xiàn)緊缺狀況，業(yè)界預(yù)測(cè)，現(xiàn)在就算有錢(qián)也不一定能買(mǎi)到NAND Flash部分規(guī)格產(chǎn)品，供需缺口至少持續(xù)到今年年底，如果下半年蘋(píng)果iPhone 8大賣(mài)，相關(guān)缺口將會(huì)擴(kuò)大得更多，價(jià)格也會(huì)居高不下。   
       業(yè)者指出，可以預(yù)料到今年全年的NAND Flash供需都會(huì)非常緊張。 現(xiàn)在TLC產(chǎn)品是大缺貨狀態(tài)，2D的TLC在原廠逐漸轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND之后，供給量持續(xù)變少，而且?guī)缀醵际枪┴浗o蘋(píng)果了。至于3D TLC NAND，目前有48層堆棧產(chǎn)品，但正在轉(zhuǎn)進(jìn)64層堆棧的過(guò)程中。
        同時(shí)，業(yè)界估計(jì)，3D TLC NAND新產(chǎn)品供給量從第2、3季起會(huì)慢慢增加，不過(guò)變量是因?yàn)樘O(píng)果iPhone 8即將面市，到時(shí)候如果銷(xiāo)售量超乎預(yù)期，對(duì)于NAND Flash的消耗量會(huì)很大，市場(chǎng)供需吃緊的情況就很難得到改善。
業(yè)內(nèi)人士大多認(rèn)為NAND Flash缺貨情況最少持續(xù)到今年底，甚至有可能會(huì)蔓延到明年第1季。 至于價(jià)格方面，今年基本上都會(huì)居高不下，不會(huì)有回跌的跡象。
        至于在DRAM方面，雖然供需缺口沒(méi)有NAND Flash嚴(yán)重，第2季會(huì)延續(xù)第1季的價(jià)格上漲態(tài)勢(shì)。 業(yè)者認(rèn)為，DRAM市況供需稍有吃緊，缺口約2%至3%，主要是因?yàn)镈RAM三巨頭今年都以提高新制程產(chǎn)出為主，并未大幅擴(kuò)增產(chǎn)能。
而在需求端，各類(lèi)DRAM的庫(kù)存都較少，手機(jī)與服務(wù)器的搭載量都持續(xù)增加，中高端智能機(jī)的主存儲(chǔ)器容量約為4GB至6GB，旗艦機(jī)為8GB，持續(xù)推動(dòng)DRAM需求成長(zhǎng)。
        同時(shí)，服務(wù)器市場(chǎng)需求仍維持強(qiáng)勁，高端筆記本新機(jī)的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)配備從8GB起跳。 另外，4K電視滲透率提高、機(jī)頂盒、網(wǎng)絡(luò)相機(jī)、智能表、車(chē)工規(guī)應(yīng)用需求也熱絡(luò)，都推升DRAM搭載量。
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