目前，比較常用的大容量高速非易失性SRAM有如下幾種：

 

1、NVSRAM，是一種雙體結(jié)構(gòu)的非易失性SRAM，這種存儲(chǔ)器內(nèi)部包含兩個(gè)存儲(chǔ)體：一個(gè)是供用戶讀寫的普通SRAM,另一個(gè)是與SRAM容量相同、供數(shù)據(jù)備份用的EEPROM(或Quantum Trap)。正常工作狀態(tài)下,微處理器訪問NVSRAM時(shí),所操作的是SRAM,只有在電源斷電時(shí),芯片自動(dòng)把SRAM中的內(nèi)容快備份到EEPROM(或Quantum Trap)中,使內(nèi)容不會(huì)丟失;在下次電源加電時(shí),它又把EEPROM中保留的備份內(nèi)容自動(dòng)恢復(fù)到SRAM中。大容量NVSRAM比較典型的有Cypress的CY14B104（512Kx8/256Kx16)、CY14B108（1Mx8/512Kx16)，讀寫周期高達(dá)20ns。這種芯片有一個(gè)小小缺陷是必須外接一只大容量的電容，用于掉電備份數(shù)據(jù)時(shí)緩沖電源供電。此外，在國內(nèi)市場不易買的。

 

2、FRAM，即“鐵電存儲(chǔ)器”。其核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有RAM和ROM的特性。晶陣中的每個(gè)自由浮動(dòng)的原子只有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài),一個(gè)用來記憶邏輯“0”,另一個(gè)用來記憶邏輯“1”。數(shù)據(jù)狀態(tài)可保持100年以上。FRAM產(chǎn)品具備一系列超級(jí)特性。比如,高速隨機(jī)讀寫（存取時(shí)間只有55ns）、

超低功耗（只有EEPROM的1/2500）和幾乎無限次的讀寫周期（可達(dá)10的14方次）。RAMTRON公司是FRAM的發(fā)明和生產(chǎn)者，目前面市的大容量型號(hào)有；FM21L16(256Kx8/128Kx16)、FM22L16（512Kx8/256Kx16)。與NVSRAM不同，F(xiàn)RAM的數(shù)據(jù)寫入與備份是同步進(jìn)行的，因此也不存在恢復(fù)操作。

 

3、MRAM，即“磁阻RAM”，是Freescale公司的專利產(chǎn)品，采用磁隧道結(jié)(MTJ)結(jié)構(gòu)來進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。MRAM利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路在單個(gè)器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性，它的壽命幾乎是沒有限制的 。MRAM器件可以用于高速緩沖器、配置內(nèi)存和其他要求高速、耐用和非易失性的商業(yè)應(yīng)用。目前的產(chǎn)品型號(hào)有：MR0A16~MR2A16，容量為：128Kx8/64Kx16~512Kx8/256Kx16，讀寫周期為35 ns。

 

值得注意的是，由于都采用RAM結(jié)構(gòu)，F(xiàn)RAM和MRAM引腳完全兼容，NVRAM除有外接電容引腳和地址線編號(hào)不太一樣外（如果處理器通過FPGA與其相連則可重定義），基本兼容。　

本文關(guān)鍵詞：高速非易失性SRAM   MRAM    FRAM     低功耗

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