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各種同步型SRAM比較 (一)

2017-08-21 14:58:08

標準同步型SRAM: 這是被“主流應(yīng)用”所接納的第一種同步型SRAM。這些器件雖然主要面向PC L2高速緩沖存儲器應(yīng)用,但也滲透到了非PC應(yīng)用領(lǐng)域中,比如電信、網(wǎng)絡(luò)、數(shù)字信號處理(DSP)以及醫(yī)療和測試設(shè)備。其中,標準同步型SRAM具有兩種基本格式:流水線型和直通型。兩者之間的差異是:直通型SRAM僅在輸入端上具有寄存器,當(dāng)?shù)刂泛涂刂戚斎氡徊东@且一個讀存取操作被啟動時,數(shù)據(jù)將被允許“直接流”至輸出端。當(dāng)用戶對初始延遲的重要性考慮超過對持續(xù)帶寬的考究時,人們往往優(yōu)先采用直通型架構(gòu)。“流水線型”同步SRAM同時擁有一個輸入寄存器和一個輸出寄存器。流水線型SRAM所提供的工作頻率和帶寬通常高于直通型SRAM。因此,在需求較高寬帶,而對初始延遲不是很敏感時,人們常常優(yōu)先采用流水線型SRAM。

NoBLTM(無總線延遲)型SRAM:有些應(yīng)用不允許“等待狀態(tài)”。比如網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中“等待狀態(tài)”有可能對性能產(chǎn)生嚴重的影響。為解決該問題,賽普拉斯公司推出了無總線延遲(NoBL)型SRAM。NoBL型SRAM與標準同步型SRAM很相似,但是擁有附加的片上邏輯電路,旨在完全消除標準同步型SRAM系列所需的“等待狀態(tài)”。通過消除這些“等待狀態(tài)”,此類SRAM能夠?qū)崿F(xiàn)100[%]的總線利用率(絲毫不受讀/寫模式的影響)。該功能極大地改善了存儲器性能,尤其是當(dāng)存在頻繁的讀/寫操作變換時。 NoBL型SRAM也存在兩種版本:直通型和流水線型。直通型NoBL SRAM始終具有一個單周期偏移,而NoBL流水線型SRAM則保持了一個雙周期偏移。 

本文關(guān)鍵詞:NoBLTM(無總線延遲)型SRAM  標準同步型SRAM

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