據(jù)報導，過去幾10年來，半導體技術的重大進展多是來自于微縮，但是隨著每次的微縮，快閃存儲器都會變得更不可靠，且這種以電荷儲存為基礎的存儲器技術也會變得越來越耗電，對于正在起飛的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用來說，也許還得依靠新一代的存儲器技術來滿足其超低功耗之需求。

　　
在各種新存儲器技術當中，由美國亞歷桑納州立大學(Arizona State University)所開發(fā)出的導電橋式隨機存取存儲器也開始脫穎而出，該技術屬于電阻式存儲器，主要是利用記憶元件電阻之大小作為資訊儲存狀態(tài)判讀之依據(jù)，不同的電阻代表不同的儲存狀態(tài)，其在存取速度及能耗表現(xiàn)上都優(yōu)于快取存儲器，被視為最有潛力成為下一世代的非揮發(fā)性存儲器元件之一。

　　
在應用上，導電橋式隨機存取存儲器的資料寫入速度是快閃存儲器的20倍，且執(zhí)行該任務時的耗電量也比快閃存儲器低10~100倍，對于極度要求低功耗的IoT應用而言，可說是非常重要的特性。

　　
目前多種不同的產業(yè)中的大廠產品已可見到導電橋式隨機存取存儲器的蹤跡，包括消費性電子產品之Garmin、Roku、汽車零組件之Delphi Automotive、通訊之三星電子(Samsung Electronics)、博通(Broadcom)、醫(yī)療裝置之嬌生(Johnson & Johnson)及GE(General Electric)、個人電腦之戴爾(Dell)、惠普(HP)及聯(lián)想等。

　　
由于CBRAM屬于通用的存儲器技術，感應器節(jié)點、穿戴式裝置、智能電表(smart meter)、相機等都可采用此技術，應用的范圍非常廣，能為市場上提供速度更快、能源效率更好的存儲器解決方案，并可望為IoT發(fā)展帶來新動力。

本文關鍵詞：CBRAM存儲器

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