超低功耗CBRAM存儲器技術面世

　　
據報導，過去幾10年來，半導體技術的重大進展多是來自于微縮，但是隨著每次的微縮，快閃存儲器都會變得更不可靠，且這種以電荷儲存為基礎的存儲器技術也會變得越來越耗電，對于正在起飛的物聯網(IoT)應用來說，也許還得依靠新一代的存儲器技術來滿足其超低功耗之需求。

　　
在各種新存儲器技術當中，由美國亞歷桑納州立大學(Arizona State University)所開發出的導電橋式隨機存取存儲器也開始脫穎而出，該技術屬于電阻式存儲器，主要是利用記憶元件電阻之大小作為資訊儲存狀態判讀之依據，不同的電阻代表不同的儲存狀態，其在存取速度及能耗表現上都優于快取存儲器，被視為最有潛力成為下一世代的非揮發性存儲器元件之一。

　　
在應用上，導電橋式隨機存取存儲器的資料寫入速度是快閃存儲器的20倍，且執行該任務時的耗電量也比快閃存儲器低10~100倍，對于極度要求低功耗的IoT應用而言，可說是非常重要的特性。

　　
目前多種不同的產業中的大廠產品已可見到導電橋式隨機存取存儲器的蹤跡，包括消費性電子產品之Garmin、Roku、汽車零組件之Delphi Automotive、通訊之三星電子(Samsung Electronics)、博通(Broadcom)、醫療裝置之嬌生(Johnson & Johnson)及GE(General Electric)、個人電腦之戴爾(Dell)、惠普(HP)及聯想等。

　　
由于CBRAM屬于通用的存儲器技術，感應器節點、穿戴式裝置、智能電表(smart meter)、相機等都可采用此技術，應用的范圍非常廣，能為市場上提供速度更快、能源效率更好的存儲器解決方案，并可望為IoT發展帶來新動力。

本文關鍵詞：CBRAM存儲器

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