3D NAND存儲(chǔ)使智能手機(jī)更具活力
2018-01-29 14:59:34
智能手機(jī)已經(jīng)成為消費(fèi)者身邊不可缺少的移動(dòng)設(shè)備，以及使用最頻繁的移動(dòng)設(shè)備，對用戶來說也是最重要的設(shè)備。用戶不僅能夠通過語音、文字和互聯(lián)網(wǎng)與外界保持聯(lián)絡(luò)，還可以利用手機(jī)進(jìn)行娛樂、導(dǎo)航、計(jì)算、交易、拍照等等。截至到2016年，全球智能手機(jī)用戶數(shù)量已超過20億，預(yù)計(jì)到2020年將增長至將近30億。
世界上每天都產(chǎn)生更多智能手機(jī)用戶，而且人們也對手機(jī)的期望更高，這明顯表現(xiàn)在過去幾年中顯著提高的應(yīng)用下載量（圖1）。
為了支持更高的存儲(chǔ)需求，并充分利用規(guī)模更大的下一代應(yīng)用，智能手機(jī)將需要極為靈敏的系統(tǒng)級(jí)（芯片組和存儲(chǔ)器）性能和更大的容量。過去的16GB和32GB容量的智能手機(jī)現(xiàn)在已經(jīng)完全無法滿足人們的需求，因?yàn)樗麄冃阅艿?、容量小，無法支持當(dāng)今活躍的移動(dòng)生活方式。這為3D NAND閃存奠定了基礎(chǔ)。
3D NAND以更低的每比特成本解決了與2D平面NAND縮放相關(guān)的挑戰(zhàn)，并且提供了更大的容量、更好的性能和更高的可靠性。用于開發(fā)3D NAND的制造工藝使得我們能夠采用更小尺寸的芯片，這樣便可以將更大的電池安裝到相同的物理空間中，從而提供更長的設(shè)備使用時(shí)間。
3D NAND架構(gòu)中每個(gè)存儲(chǔ)單元之間的空間比傳統(tǒng)的2D NAND架構(gòu)更寬松，從而支持存儲(chǔ)設(shè)備更快地寫入（或傳輸）數(shù)據(jù)。更寬松的單元空間還能夠減少同一個(gè)層面上每個(gè)相鄰3D NAND單元之間的噪聲和“單元對單元”干擾，從而帶來比2D平面NAND架構(gòu)更高的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)完整性。
存儲(chǔ)級(jí)性能的提高能夠改善智能手機(jī)應(yīng)用的性能，并提供更強(qiáng)大的功能，例如更迅速的多次拍攝、更好的4K Ultra視頻播放或者更快的文件傳輸，這能夠支持新一輪的智能手機(jī)應(yīng)用。采用3D NAND的存儲(chǔ)設(shè)備到2017年底預(yù)計(jì)占NAND總消費(fèi)量的大約百分之三十，到2019年底將占約百分之六十六，并將在移動(dòng)設(shè)備中大量使用。
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