在設(shè)計的過程中，我們在使用單片機STM32F407如果遇到數(shù)據(jù)內(nèi)存不夠使用，需要進(jìn)行外擴SRAM存儲器芯片，那應(yīng)該如何設(shè)置，
可以采用IS62WV51216（EM681FV16BU-55LF）的SRAM存儲器芯片作為存儲的外擴芯片，
首先實現(xiàn) IS62WV51216（EM681FV16BU-55LF）的訪問，需要對 FSMC進(jìn)行哪些配置。
以上是大概步驟的詮釋：
步驟如下：
 

1. 使能 FSMC 時鐘，并配置 FSMC 相關(guān)的 IO 及其時鐘使能。

 
 在使用FSMC前，我們要先將其時鐘開啟。然后把 FSMC_D0~15，F(xiàn)SMCA0~18 等相關(guān)IO接口，通通改為復(fù)用輸出的配置，最后使能各 IO 組的時鐘。
 
 使能 FSMC 時鐘的方法：
 
 RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
 
2. 設(shè)置 FSMC BANK1 區(qū)域 3。
 
FSMC BANK1 區(qū)域 3已經(jīng)包括設(shè)置區(qū)域 3 的SRAM存儲器的位寬、工作模式和讀寫時序等等。我們啟動使用模式 A、16 位寬，并讓讀寫共同使用一個時序寄存器。
使用的函數(shù)是：
 void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct)
 
3. 使能 BANK1 區(qū)域 3。
 
使用的函數(shù)是：
 void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState)；
 
 
以上三個步驟，我們就完成了對FSMC的配置設(shè)置，設(shè)置完畢后就可以訪問IS62WV51216（EM681FV16BU-55LF），需要注意的一點，我們選擇 BANK1 的區(qū)域3使用，因此 HADDR[27:26]=10，而外部內(nèi)存的首地址設(shè)置為 0X68000000。
 
在單片機設(shè)計de的過程中我們可以遇到不同容量的型號考慮選擇，以下是同類型型號的選擇，可以作為參考

Density	Org.	Part number	Speed	Package Type	Voltage
16Mb	x16	EM6168FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
16Mb	x16	EM6168FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
16Mb	x16	EM6169FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
16Mb	x16	EM6169FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM680FV8BU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM680FV8BU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM681FV8BU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM681FV8BU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM681FV16BU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM681FV16BU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM680FV8B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM680FV8B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM680FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM680FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM681FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM681FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM681FV8B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM681FV8B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM641FV16F-45LF	45ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM640FV16F-55LF	55ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
4Mb	x8	EM641FT8S-55LF	55ns	STSOPI 32L 8x13.4	5V
4Mb	x8	EM641FV8FS-45LF	45ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
4Mb	x8	EM641FV8FS-55LF	55ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM641FV16FU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM641FV16FU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM643FV16FU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM643FV16FU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM643FV16FU-70LF	70ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM640FV16F-45LF	45ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM646FV16FU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM646FV16FU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM620FV16BU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
2MB	x16	EM620FV16BU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
2Mb	x8	EM620FV8BS-70LF	70ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
2Mb	x8	EM620FV8BS-45LF	45ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
2Mb	x8	EM620FV8BS-55LF	55ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM620FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM620FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM621FV16BU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM621FV16BU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM621FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM621FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
2Mb	x8	EM621FV8BS-55LF	55ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
2Mb	x8	EM621FV8BS-45LF	45ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
1Mb	x8	EM610FV8S-45LF	45ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
1Mb	x8	EM610FV8S-55LF	55ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
1Mb	x16	EM610FV16U-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
1Mb	x16	EM610FV16U-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
1Mb	x8	EM610FV8T-45LF	45ns	TSOPI 32L 8x20	2.7~3.6V
1Mb	x8	EM610FV8T-55LF	55ns	TSOPI 32L 8x20	2.7~3.6V
1Mb	x8	EM610FV8T-70LF	70ns	TSOPI 32L 8x20	2.7~3.6V
1Mb	x16	EM611FV16U-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
1Mb	x16	EM611FV16U-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
1Mb	x16	EM611FV16U-70LF	70ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V

 

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深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。