閃存芯片價(jià)格價(jià)格增長(zhǎng)放緩
2018-05-08 15:31:39
在過(guò)去的兩年時(shí)間里，內(nèi)存價(jià)格瘋漲了好幾倍，瘋漲的價(jià)格讓三星電子、SK 海力士以及美光科技等存儲(chǔ)巨頭賺的盆滿缽滿，但普通消費(fèi)者卻苦叫連連。在經(jīng)歷了兩年的瘋狂期后，內(nèi)存市場(chǎng)終于有開(kāi)始降溫的趨勢(shì)。最近包括三星、蘋(píng)果和一些研究機(jī)構(gòu)都發(fā)出預(yù)測(cè)，表示內(nèi)存芯片價(jià)格在今年將會(huì)進(jìn)入穩(wěn)定期，而且閃存芯片價(jià)格有望降低。
蘋(píng)果公司財(cái)務(wù)長(zhǎng)Luca Maestri表示，NAND閃存芯片市場(chǎng)馬上就會(huì)出現(xiàn)新變化，而且DRAM內(nèi)存芯片的價(jià)格即將觸頂，不會(huì)再上漲。
以蘋(píng)果產(chǎn)品中的iPhone X為例，其BOM成本為370美元，其中內(nèi)存芯片的成本為33.45美元，比自家的A11處理器都貴，所以內(nèi)存、閃存芯片價(jià)格的變動(dòng)對(duì)銷量動(dòng)輒上億臺(tái)的蘋(píng)果影響還挺大。
三星電子日前透露，自己的存儲(chǔ)器事業(yè)在今年第二季度表現(xiàn)依舊強(qiáng)勁，但是盈利想要再增長(zhǎng)卻不太容易。其中第二季度的NAND報(bào)價(jià)將會(huì)呈現(xiàn)疲軟狀態(tài)，但DRAM的表現(xiàn)會(huì)依舊強(qiáng)勁。
由于去年底三星、東芝、美光等公司64層3DNAND閃存大規(guī)模量產(chǎn)，NAND閃存芯片市場(chǎng)在2018年第一季度就已經(jīng)出現(xiàn)供過(guò)于求現(xiàn)象，第二季度將維持小幅度的供過(guò)于求的狀態(tài)，價(jià)格也會(huì)持續(xù)下跌。
同時(shí)，集邦咨詢DRAMeXchange指出，受到臺(tái)灣美光“氮?dú)忾T(mén)”事件的影響，DRAM市場(chǎng)供不應(yīng)求的狀態(tài)會(huì)繼續(xù)延續(xù)，第二季度的標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格還會(huì)再上漲3%，但對(duì)比第一季度的上漲5%，增幅已經(jīng)縮小。
本文關(guān)鍵詞：
NAND閃存芯片
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