MRAM，即磁性隨機存取存儲器，是一種具備非易失性的存儲技術。它結合了SRAM的高速讀寫性能和DRAM的高集成度，幾乎可以無限次地進行數(shù)據(jù)寫入。MRAM的優(yōu)勢在于其高速的讀寫速度、低功耗、高存儲密度、出色的耐擦寫性能、寬廣的工作溫度范圍以及對輻射的強抵抗力。
 
    Everspin生產(chǎn)的型號為MR0A16A的MRAM存儲芯片，擁有1Mbit的存儲容量，其組織結構為16位寬，共計65536個字。該芯片提供與SRAM相兼容的35納秒讀/寫時序，并且具有無限的續(xù)航能力。數(shù)據(jù)在超過20年的時間里保持非易失性，即使在斷電的情況下，通過低電壓抑制電路也能自動保護數(shù)據(jù)，防止因電壓異常而寫入錯誤。因此，它成為需要永久存儲和快速檢索關鍵數(shù)據(jù)及程序的應用的理想內(nèi)存選擇。
 
    該MRAM芯片采用44-TSOP和48-BGA封裝，與低功耗SRAM產(chǎn)品及其他非易失性RAM產(chǎn)品兼容，確保在各種溫度條件下提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。
 
    Everspin公司推出的MRAM產(chǎn)品線包括MRAM、STT MRAM和xSPI MRAM三種類型。英尚國際有限公司作為Everspin的代理，能夠提供MRAM樣品測試及應用解決方案等全方位產(chǎn)品服務。


本文關鍵詞：MR0A16A,MRAM

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