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MRAM即磁阻式隨機存取存儲器

2025-02-06 17:01:21

    MRAM,即磁阻式隨機存取存儲器,是一種基于隧穿磁阻效應的非易失性存儲技術,屬于當前新型存儲器技術之一。
 
    從特性上看,MRAM具備無限的讀寫次數、快速的寫入速度(寫入時間可低至2.3納秒)、低功耗以及高邏輯芯片整合度等特點,產品主要適用于對容量要求較低的特殊應用領域以及新興的IoT嵌入式存儲領域。
 
    MRAM的耗電量可降至主流存儲器(DRAM、NAND Flash)的百分之一,且寫入速度快、即使切斷電源數據也不會丟失。然而,除了制造成本較高之外,與現有存儲器相比,耐久性、可靠性等問題仍需進一步解決。
 
    從主流的MRAM技術來看,MRAM技術包括嵌入式磁阻RAM(MRAM)、自旋傳遞扭矩MRAM(STT-MRAM)、SOT-MRAM(自旋軌道扭矩磁性隨機存儲器)。目前MRAM主要以美國半導體大廠Everspin Technologies推出的STT-MRAM(垂直混合自旋扭矩轉換磁性隨機存儲器)為代表。
 
    其中,STT-MRAM利用隧道層的“巨磁阻效應”來讀取位單元,當該層兩側的磁性方向一致時表現為低電阻,當磁性方向相反時,電阻會顯著增加。與其他新興存儲技術相比,STT-MRAM的耐用性較為出色,并且存儲速度極快,被認為是最高級的緩存存儲器。
 
    STT-MRAM和SOT-MRAM這兩種存儲器有望成為高性能計算系統(如數據中心)分級存儲體系中的理想選擇。不過,若要將STT-MRAM或SOT-MRAM用作高密度存儲器,還需在存儲器成本和密度方面進行進一步的提升。


本文關鍵詞:MRAM,Everspin

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